近年，随着图像质量的提高，色粉直径也越来越小。在微孔孔径较大的发泡辊筒中，色粉进入辊筒的微孔内不易去除，所以存在图像混乱的问题。因此，对于使用微细色粉的高画质复印机和打印机用辊筒，特别是色粉供给辊，要求更细的微孔。在制造发泡辊筒时，与间歇式方法相比，连续硫化处理法的优点是能够使发泡微孔的直径更小。以往的导电辊使用了不会因其中的导电性填充剂的不均匀而导致电阻值不均匀的离子导电性橡胶，但是问题在于很难采用经济上及效率上都有利的连续硫化法进行制造。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。
由表面层和基层组成的半导电辊；该表面层具有较高的电阻值，由橡胶组合物制成；但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。基层具有较低的电阻值，由导电橡胶组合物组成。该半导电辊的目的在于通过良好地平衡表面层和基层的电阻值而获得良好的静电充电特性。有必要使这两种层的厚度高度准确。为使两种层的厚度高度准确，需要较麻烦的管理，并且生产橡胶辊的成本较高。
众所周知，靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。如Ic制造商．近段时间致力于低电阻率铜布线的开发，预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜，这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外，近年来平面显示器（FPD）大幅度取代原以阴极射线管（CRT）为主的电脑显示器及电视机市场．亦将大幅增加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面。高密度、大容量硬盘，高密度的可擦写光盘的需求持续增加．这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。下面我们将分别介绍靶材的主要应用领域，以及这些领域靶材发展的趋势。钨-钛（W-Ti）膜以及以钨-钛（W-Ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列不可替代的优良性能。
精铝经过区熔提纯，只能达到5 的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于 7 的纯度，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。另外，近年来平面显示器（FPD）大幅度取代原以阴极射线管（CRT）为主的电脑显示器及电视机市场．亦将大幅增加ITO靶材的技术与市场需求。
制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为 0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6 的水平。
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